Raman / Kumar / Singh

Field-Effect Transistors Technology

From Sustainability to Next-Generation VLSI Design

Taylor & Francis Ltd

ISBN 978-1-03-287607-8

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Bibliografische Daten

Buch. Hardcover

2025

194 s/w-Abbildungen, 42 s/w-Fotos, 152 s/w-Zeichnungen, 16 s/w-Tabelle.

In englischer Sprache

Umfang: 466 S.

Format (B x L): 15.6 x 23.4 cm

Verlag: Taylor & Francis Ltd

ISBN: 978-1-03-287607-8

Produktbeschreibung

The text provides a comprehensive exploration of the transitions occurring in the field-effect transistor technology, covering the historical evolution, current advancements, and future trends.

Features

- Highlights the significance of field-effect transistors in VLSI and post-complementary metal-oxide-semiconductor design strategies.

- Discusses design challenges, different modeling aspects of field-effect transistors, and emerging materials in semiconductor design.

- Showcases the importance of simulation in forecasting device behavior, enhancing performance, and investigating novel device designs.

- Covers topics such as quantum computing, device simulation process on technology computer-aided design, carbon nanotubes, and organic field-effect transistors.

The text is primarily written for senior undergraduates, graduate students, and academic researchers in the fields of electrical engineering, electrical and communications engineering, materials science, nanoscience, and nanotechnology.

Autorinnen und Autoren

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Hersteller

Libri GmbH

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36244 Bad Hersfeld, DE

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