Di Paolo Emilio

GaN and SiC Power Devices

From Fundamentals to Applied Design and Market Analysis

Springer

ISBN 978-3-031-50656-7

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Bibliografische Daten

Fachbuch

Buch. Softcover

2025

6 s/w-Abbildungen, 41 Farbabbildungen, Bibliographien.

In englischer Sprache

Umfang: xv, 264 S.

Format (B x L): 16,8 x 24 cm

Verlag: Springer

ISBN: 978-3-031-50656-7

Weiterführende bibliografische Daten

Produktbeschreibung

This book provides a single-source reference for any reader requiring basic and advanced information on wide bandgap semiconductors and related design topics. Focusing on practicability, it explains the principles of GaN and SiC semiconductors, manufacturing, characterization, market and design for key applications.

Autorinnen und Autoren

Kundeninformationen

Provides a single-source reference on power circuit design with wide bandgap semiconductors Covers both theoretical and practical aspects of circuit design with GaN and SiC devices Explains principles of GaN and SiC semiconductors, manufacturing, characterization, design and market for key applications

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