Erschienen: 18.10.2013 Abbildung von Srivastava / Singh | MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch | 2013

Srivastava / Singh

MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

2013. Buch. xv, 199 S. 10 s/w-Abbildungen, 45 Farbabbildungen, 22 s/w-Tabelle, Bibliographien. Hardcover

Springer. ISBN 978-3-319-01164-6

Format (B x L): 15,5 x 23,5 cm

Gewicht: 496 g

In englischer Sprache

Produktbeschreibung

This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Gesamtwerk

Die 8. Auflage ist wieder auf sechs Bände angelegt. Darin finden sich übersichtlich und in systematischer Gliederung Vertragsmuster aus der Feder erfahrener Experten. Jedem dieser Muster folgen Anmerkungen, mit denen der dem Vertragsentwurf zu Grunde liegende Sachverhalt und die Gründe für die Wahl des spezifischen Formulars erläutert werden.

Autoren

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