Erschienen: 31.05.2005 Abbildung von Schubert | Delta-doping of Semiconductors | 2005

Schubert

Delta-doping of Semiconductors

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inkl. Mwst.

2005. Buch. 616 S. Softcover

Cambridge University Press. ISBN 978-0-521-01796-1

Format (B x L): 18,9 x 24,6 cm

In englischer Sprache

Produktbeschreibung

This book is the first to give a comprehensive review of the theory, fabrication, characterisation, and device applications of abrupt, shallow, and narrow doping profiles in semiconductors. Such doping profiles are a key element in the development of modern semiconductor technology. After an introductory chapter setting out the basic theoretical and experimental concepts involved, the fabrication of abrupt and narrow doping profiles by several different techniques, including epitaxial growth, is discussed. The techniques for characterising doping distributions are then presented, followed by several chapters devoted to the inherent physical properties of narrow doping profiles. The latter part of the book deals with specific devices. The book will be of great interest to graduate students, researchers and engineers in the fields of semiconductor physics and microelectronic engineering.

Gesamtwerk

Die 8. Auflage ist wieder auf sechs Bände angelegt. Darin finden sich übersichtlich und in systematischer Gliederung Vertragsmuster aus der Feder erfahrener Experten. Jedem dieser Muster folgen Anmerkungen, mit denen der dem Vertragsentwurf zu Grunde liegende Sachverhalt und die Gründe für die Wahl des spezifischen Formulars erläutert werden.

Autoren

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