Erschienen: 10.04.2018 Abbildung von Kühnhold-Pospischil | Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid. | 1. Auflage | 2018 | beck-shop.de

Kühnhold-Pospischil

Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid.

lieferbar, ca. 10 Tage

Buch. Softcover

2018

199 S.

Fraunhofer Verlag. ISBN 978-3-8396-1253-8

Format (B x L): 14,8 x 21 cm

Das Werk ist Teil der Reihe: Solare Energie- und Systemforschung

Produktbeschreibung

Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.

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