Erschienen: 23.08.2016 Abbildung von Kar | High Permittivity Gate Dielectric Materials | Softcover reprint of the original 1st ed. 2013 | 2016

Kar

High Permittivity Gate Dielectric Materials

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Softcover reprint of the original 1st ed. 2013 2016. Buch. xxxii, 489 S. 157 s/w-Abbildungen, 168 Farbabbildungen, Bibliographien. Softcover

Springer. ISBN 978-3-662-50138-2

Format (B x L): 15,5 x 23,5 cm

Gewicht: 795 g

In englischer Sprache

Produktbeschreibung

"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, lanthanide-based high-k gate stack materials, ternary hafnia and lanthania based high-k gate stack films, crystalline high-k oxides, high mobility substrates, and parameter extraction. Each chapter begins with the basics necessary for understanding the topic, followed by a comprehensive review of the literature, and ultimately graduating to the current status of the technology and our scientific understanding and the future prospects."

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Gesamtwerk

Die 8. Auflage ist wieder auf sechs Bände angelegt. Darin finden sich übersichtlich und in systematischer Gliederung Vertragsmuster aus der Feder erfahrener Experten. Jedem dieser Muster folgen Anmerkungen, mit denen der dem Vertragsentwurf zu Grunde liegende Sachverhalt und die Gründe für die Wahl des spezifischen Formulars erläutert werden.

Autoren

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